[发明专利]一种聚合物基高储能密度材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810116165.X | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101323692A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 南策文;杨程;林元华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C08L25/06 | 分类号： | C08L25/06;C08K9/04;C08J5/18;H01G4/06;B29C70/50 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于介电材料及储能材料制备技术领域的一种聚合物基高储能密度材料及其制备方法，所述聚合物基高储能密度材料由通过化学方法用有机物改性的碳纳米管材料和聚合物基体材料按3～10wt％的比例组成，具有和基体的相容性好，降低材料漏电流密度和介电损耗，提高材料介电常数和击穿场强的效果。所述的基体材料为聚苯乙烯，用乙酸乙酯溶解后，和改性碳纳米管溶液共混，再溶液浇注成膜，再热压成型，冷压定型。发明材料具有绝缘性好、密度低、柔韧性佳、低成本及易加工的特点，可应用于信息技术电子器件、介电工程和静电能存储及电容器介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 基高储能 密度 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种聚合物基高储能密度材料，其特征在于，所述聚合物基高储能密度材料由用有机物改性的碳纳米管材料和芳香烯烃类聚合物为基体材料按3～10wt％的比例组成。
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