[发明专利]一种氧化钨纳米线及氧化钨纳米线氨敏传感器的制备方法

摘要

一种氧化钨纳米线氨敏传感器及其制备方法，属于气敏传感器技术领域。将钨酸钠溶于去离子水形成钨酸钠溶液；缓慢滴加盐酸和草酸，搅拌；将淡黄色胶束溶液转入反应釜中加入25～30克硫酸钾搅拌均匀，180℃温度下水热处理12～144小时；水热产物洗涤，在65℃空气气氛下充分干燥即制得所述氧化钨纳米线。根据制备得到的氧化钨纳米线，添加粘合剂以及玻璃料配制成气敏材料浆料；元件烧结；老化制得氧化钨纳米线氨敏传感器。本发明步骤简单，参数容易控制，整个制备过程能源消耗少，制备的氧化钨纳米线具有大的比表面积；制备的氧化钨氨敏传感器对低浓度氨气(1～100ppm)具有很高的灵敏度、良好的重复性和很高的稳定性。

主权项

1、一种氧化钨纳米线的制备方法，其特征在于，该制备方法步骤如下：(1)将1.0～1.5克钨酸钠溶于24～30毫升去离子水中，在冰水浴中磁力搅拌1小时形成无色透明的钨酸钠溶液；(2)向步骤(1)中所得的钨酸钠溶液中缓慢滴加3.5～4毫升3M/L的盐酸并不断搅拌0.5小时，再缓慢滴加4.6～5.2毫升0.3M/L的草酸并继续搅拌0.5小时形成淡黄色胶束溶液；(3)将28～30毫升步骤(2)中的胶束溶液转入50ml反应釜中并加入25～30克硫酸钾搅拌均匀，然后在180℃的温度下水热处理12～144小时；(4)将步骤(3)中的水热产物经去离子水和无水乙醇反复洗涤后，在65℃的空气气氛下充分干燥，即制得所述氧化钨纳米线。