[发明专利]氮化镓基多波段探测器及其制作方法

摘要

一种氮化镓基多波段探测器，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层生长在衬底上面中间的三分之一处；一第二中间带隙材料层生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层生长在衬底上面另一侧的三分之一处；一第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。

主权项

1、一种氮化镓基多波段探测器，其特征在于，包括：一衬底；一短波段探测单元，包括：一第一宽带隙材料层，该第一宽带隙材料层外延生长在衬底上面一侧的三分之一处；一对第一背靠背肖特基电极，该对第一背靠背肖特基电极生长在第一宽带隙材料层上；一中波段探测单元，包括：一第二宽带隙材料层，该第二宽带隙材料层外延生长在衬底上面中间的三分之一处，该第二宽带隙材料层与第一宽带隙材料层之间有一第一间隙；一第二中间带隙材料层，该第二中间带隙材料层外延生长在第二宽带隙材料层上；一对第二背靠背肖特基电极，该对第二背靠背肖特基电极生长在第二中间带隙材料层上；一长波段探测单元，包括：一第三宽带隙材料层，该第三宽带隙材料层外延生长在衬底上面另一侧的三分之一处，该第三宽带隙材料层与第二宽带隙材料层之间有一第二间隙；一第三中间带隙材料层，该第三中间带隙材料层生长在第三宽带隙材料层上；一第三窄带隙材料层，该第三窄带隙材料层生长在第三中间带隙材料层上；一对第三背靠背肖特基电极，该对第三背靠背肖特基电极生长在第三窄带隙材料层上。