[发明专利]一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构有效
| 申请号： | 200810116556.1 | 申请日： | 2008-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101325225A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L31/06 | 分类号： | H01L31/06 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关玲;成金玉 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构。所述发射极结构依次包括一种掺杂类型的晶硅衬底1，在所述晶硅衬底1上制备的与所述晶硅衬底1掺杂类型相反的晶硅层2，在所述晶硅层2上制备的透明导电电极层3，在透明导电电极层3上制备的金属栅线4。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 太阳电池 短波 响应 发射极 结构 | ||
【主权项】：
1、一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构，其特征在于，所述发射极结构包括一种掺杂类型的晶硅衬底(1)，在所述晶硅衬底(1)上制备的与所述晶硅衬底(1)掺杂类型相反的晶硅层(2)，在所述晶硅层(2)上制备的透明导电电极层(3)以及在所述透明导电电极层(3)上制备的金属栅线(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
