[发明专利]一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺

摘要

本发明属于光电材料新能源技术领域，特别涉及一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺。通过制备或市场购买Cu₂Se粉末和In₂Se₃粉末，混合后在行星式球磨机中球磨，而后冷压成型，制得Cu₂Se和In₂Se₃混合材料素坯，将此素坯置于密闭的真空烧结炉中，在H₂保护气氛中，烧结，冷却后脱模，即得到铜铟硒靶材。所制得的靶材具有均一的铜铟硒相，相对密度达到95％以上。本发明具有工艺简便，效率高，成本低，稳定性好等优点，为制备铜铟硒吸收层薄膜的制备工艺提供了便捷和稳定的保证。

主权项

1.一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺，其特征在于：该工艺的具体步骤为：(一)制备硒化亚铜Cu2Se和硒化铟In2Se3粉末的过程：(1)按质量比1∶1～1.6∶1称取Cu粉和Se粉，混合后装入石墨坩埚，置于真空炉中，在350℃～450℃进行固相反应，反应时间为0.5～2h，即可得到Cu2Se粉末；或按质量比1∶1～1.6∶1称取Cu粉和Se粉，混合后装入石墨坩埚，置于充入1atm市购高纯N2的密闭炉中，在350℃～450℃进行固相反应，反应时间为0.5～2h，即可得到Cu2Se粉末。(2)按质量比1∶2～1∶3称取In粉和Se粉，混合后装入石墨坩埚，置于真空炉中，在300℃～400℃进行固相反应，反应时间为0.5～4h，即可得到In2Se3粉末；或按质量比1∶1～1∶3称取In粉和Se粉，混合后装入石墨坩埚，置于充入1atm市购高纯N2的密闭炉中，在300℃～400℃进行固相反应，反应时间为0.5～4h，即可得到In2Se3粉末。(二)压制Cu2Se和In2Se3混合材料素坯的过程：将上述或市售的Cu2Se和In2Se3粉末按质量比1∶2.25～1∶3配料，混合料装入尼龙球磨罐中，在行星式球磨机中球磨2～12h；将球磨后的粉料均匀填充于模具中，经200～600MPa的压力冷压1～3min成型。(三)烧结铜铟硒靶材的过程：将成型素坯置于密闭的真空烧结炉中，在1atm的H2保护气氛中，于650～850℃下烧结0.5～12h，随炉冷却至常温后脱模，得到铜铟硒靶材。