[发明专利]等离子体处理设备及其过渡腔室有效
| 申请号： | 200810117009.5 | 申请日： | 2008-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101330032A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 于大洋 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/00;C23C16/54 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 地址： | 100016*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理设备的过渡腔室，其中设置载板升降装置，该载板升降装置能够在竖直方向上往复运动；基片载板进入所述过渡腔室后，所述载板升降装置能够使其脱离所述载板传送装置。本发明还提供一种包括上述过渡腔室的等离子体处理设备。本发明将单次装载或者卸载一块基片载板的操作方式改进为单次装载或者卸载两块或者多块基片载板的操作方式，因而显著提升了装载或者卸载的效率，进而有效提高了等离子体处理设备的产能。另一方面，由于可以向各个反应腔室中均传送一个基片载板，各基片载板可以在同一工艺周期内同步完成完整的工艺过程，进而确保基片具有较高的加工质量。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 设备 及其 过渡 | ||
【主权项】：
1、一种过渡腔室，设置于等离子体处理设备的工艺腔室与大气环境之间，基片载板在载板传送装置的带动下自大气环境或者工艺腔室进入该过渡腔室；其特征在于，所述过渡腔室中设置载板升降装置，该载板升降装置能够在竖直方向上往复运动；基片载板进入所述过渡腔室后，所述载板升降装置能够使其脱离所述载板传送装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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