[发明专利]等离子体处理设备及其基片载板有效
申请号: | 200810117010.8 | 申请日: | 2008-07-22 |
公开(公告)号: | CN101328581A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 林挺昌;于大洋 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 魏晓波;逯长明 |
地址: | 100016*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基片载板,其顶部具有开口向上的第一安置槽,其底部设有开口向下的第二安置槽以及定位装置;基片装载入所述第二安置槽后,所述定位装置将其限制于所述第二安置槽中。所述基片载板可以由相互独立的上层板体和下层板体组成。本发明还提供一种包括上述基片载板的等离子体处理设备。可以在上述第一安置槽以及第二安置槽中各安放一个基片同时加工,等离子体处理设备的产能因此得到显著提高。由于用作接地电极时基片载板的有效面积与并无明显改变,反应腔室中等离子体的能量不受影响,基片加工质量较高。分体式的基片载板可以在上层板体和下层板体中同时装片或者卸片,基片的装卸载效率可以得到显著提高。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 及其 基片载板 | ||
【主权项】:
1、一种基片载板,用于等离子体处理设备,其顶部具有开口向上且用于装载基片的第一安置槽,其特征在于,所述基片载板的底部设有定位装置以及开口向下且用于装载基片的第二安置槽;所述基片装载入所述第二安置槽后,所述定位装置将其限制于所述第二安置槽中。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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