[发明专利]叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法无效
| 申请号： | 200810117495.0 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101640368A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王大拯;冯小明;王勇刚;刘素平;马骁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S5/024;G02B6/00;H01S3/067 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法，其特征在于，包括如下：步骤1：制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽；步骤2：沿叠层热沉的纵向，在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片；步骤3：在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 光纤 侧面 方法 | ||
【主权项】：
1、一种叠层半导体激光器光纤排/束侧面泵浦方法，其特征在于，包括如下：步骤1：制作一矩形铜质的半导体激光器叠层热沉，在叠层热沉的一面上采用精密微加工方法，沿叠层热沉的横向加工制得多组V型槽；步骤2：沿叠层热沉的纵向，在具有多组V型槽的一面的下方的两侧制作两片镀金铜片；步骤3：在两片镀金铜片之间、叠层热沉具有多组V型槽一面的下方粘接多组双包层光纤。
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