[发明专利]焊盘及其形成方法有效
| 申请号： | 200810117727.2 | 申请日： | 2008-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645408A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/311;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种焊盘形成方法，包括，在基底上形成介质层；利用包含第一氟碳气体和第二氟碳气体的第一反应气体对所述介质层执行主刻蚀操作，所述第一氟碳气体中的氟碳比例大于2∶1，所述第二氟碳气体中的氟碳比例小于或等于2∶1；利用包含第二氟碳气体的第二反应气体执行所述介质层的过刻蚀操作，形成接触孔；形成覆盖所述介质层并填充所述接触孔的导电层，形成焊盘。一种焊盘，所述焊盘形成于覆盖基底的介质层中，所述焊盘包括顶壁、与所述顶壁相对的底壁和由所述底壁边缘向上延伸后与顶壁接合的侧壁，由所述底壁边缘向上延伸的至少部分高度的所述侧壁与底壁间的夹角大于90度。均可改善导电层对所述接触孔的填充效果。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种焊盘形成方法，其特征在于，包括，在基底上形成介质层；利用包含第一氟碳气体和第二氟碳气体的第一反应气体对所述介质层执行主刻蚀操作，所述第一氟碳气体中的氟碳比例大于2∶1，所述第二氟碳气体中的氟碳比例小于或等于2∶1；利用包含第二氟碳气体的第二反应气体执行所述介质层的过刻蚀操作，形成接触孔；形成覆盖所述介质层并填充所述接触孔的导电层，形成焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
