[发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法有效
| 申请号： | 200810117997.3 | 申请日： | 2008-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101656232A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;王章涛;谢振宇;陈旭;林承武 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 曲 鹏 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，包括：在基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；在基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，采用带有狭缝的半色调或灰色调掩模板通过第二次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、薄膜晶体管沟道区域和像素电极的图形；在基板上沉积一层钝化层，通过第三次构图工艺形成包括栅线接口区域和数据线接口区域的图形。本发明通过三次构图工艺即可完成薄膜晶体管阵列基板的制备，减少了生产设备投入，缩短了生产时间，提高了生产效率，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，采用带有狭缝的半色调或灰色调掩模板通过第二次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、薄膜晶体管沟道区域和像素电极的图形；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过第三次构图工艺形成包括栅线接口区域和数据线接口区域的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
