[发明专利]薄膜晶体管及其半导体薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200810118046.8 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101339959A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 邱勇;董桂芳;王小燕 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/336;H01L21/368 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种采用氧化锡薄膜的薄膜晶体管及其制备方法，还涉及氧化锡薄膜的制备方法及包括利用该制备方法制备的电子器件。本发明氧化锡薄膜的制备方法包括：将含锡有机化合物溶于有机溶剂中制备前驱体溶液，将前驱体溶液均匀涂敷在器件基底上形成前驱体溶液膜，再将此基底在含有氧气的气氛中加热退火，生成含有氧化锡的半导体薄膜。本发明的薄膜制备方法工艺简单，处理温度低，可以降低半导体器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 半导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括基片、源/漏电极、门电极，以及位于源/漏电极和门电极之间的半导体层和绝缘层，其特征在于，所述半导体层为氧化锡薄膜，该氧化锡薄膜的制备方法包括：将含锡有机化合物溶于有机溶剂中制备前驱体溶液的步骤；将制备的前驱体溶液均匀涂敷在基底上，形成前驱体溶液膜的步骤；将形成有所述前驱体溶液膜的基底在含有氧气的气氛中加热退火，生成氧化锡的半导体薄膜的步骤。
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