[发明专利]放电过流保护恢复驱动电路、电池保护电路及系统有效
| 申请号： | 200810118104.7 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101340084A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王钊;尹航;杨晓东 | 申请（专利权）人： | 北京中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/18 | 分类号： | H02H7/18;H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 100083北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电池保护电路中的放电过流保护恢复驱动电路，其具有VM连接端及VSS连接端，所述恢复驱动电路包括隔离NMOS晶体管及第一电阻，所述隔离NMOS晶体管的漏极经由所述第一电阻与所述第一连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的源极与所述第二连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的栅极用于接收放电过流信号，所述隔离NMOS晶体管的栅极在接收到放电过流信号时，所述隔离NMOS晶体管的漏极与源极接通，进而将所述VM连接端与所述VSS接端接通。在所述隔离NMOS晶体管的衬底与源极之间形成有二极管，所述二极管的负极与所述隔离NMOS晶体管的源极相连，所述二极管的正极与所述隔离NMOS晶体管的衬底相连。在VM相对VSS为负电压时，由于晶体管MN1的衬底与VSS之间具有二极管D1，所述二极管D1会反向偏置，阻碍漏电流的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 放电 保护 恢复 驱动 电路 电池 系统 | ||
【主权项】：
1、一种电池保护电路中的放电过流保护恢复驱动电路，其具有第一连接端及第二连接端，其特征在于，所述恢复驱动电路包括隔离NMOS晶体管及第一电阻，所述隔离NMOS晶体管的漏极经由所述第一电阻与所述第一连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的源极与所述第二连接端相连，所述隔离NMOS晶体管的栅极用于接收放电过流信号，所述隔离NMOS晶体管的栅极在接收到放电过流信号时，所述隔离NMOS晶体管的漏极与源极接通，进而将所述第一连接端与所述第二连接端接通，在所述隔离NMOS晶体管的衬底与源极之间形成有二级管，所述二极管的负极与所述隔离NMOS晶体管的源极相连，所述二极管的正极与所述隔离NMOS晶体管的衬底相连。
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