[发明专利]半导体器件的缺陷测试结构、缺陷测试方法和金属前介质层的缺陷测试结构有效
| 申请号： | 200810118406.4 | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101651132A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;刘明源;张文广 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的缺陷测试结构、缺陷测试方法和金属前介质层的缺陷测试结构，其中，所述半导体器件的缺陷测试结构包括：半导体基底；半导体基底上的n条相互平行的沟槽，其中n为大于或等于3的自然数；所述沟槽中填充的介质层；在所述缺陷测试结构的俯视图中，所述各个沟槽一端的连线与沟槽的垂线相交成夹角β。相应的，本发明还公开了一种半导体器件的缺陷测试方法和金属前介质层的缺陷测试结构，采用本发明公开的缺陷测试结构和测试方法，能够节约测试步骤，提高生产效率，有利于降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 缺陷 测试 结构 方法 金属 介质 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的缺陷测试结构，其特征在于，包括：半导体基底；半导体基底上的n条相互平行的沟槽，其中n为大于或等于3的自然数；所述沟槽中填充的介质层；在所述缺陷测试结构的俯视图中，所述各个沟槽一端的连线与沟槽的垂线相交成夹角β。
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