[发明专利]液晶显示装置的阵列基板制造方法有效
申请号: | 200810119138.8 | 申请日: | 2008-08-27 |
公开(公告)号: | CN101661907A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 宋泳锡;崔承镇;刘圣烈 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/28;G03F1/00;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种液晶显示装置的阵列基板制造方法,该方法采用一个单调掩模板和两个双调掩模板制造了水平电场型液晶显示装置的阵列基板,具体为:通过采用单调掩模板形成栅线、栅电极和由第一透明导电层和第一金属层构成的显示区域的图案;通过采用第一双调掩模板沟道,并且将位于显示区域的第一金属层去掉,形成板状电极;通过采用第二双调掩模板形成过孔和缝隙电极。本发明液晶显示装置的阵列基板制造方法用一个廉价的单调掩模板替代了一个昂贵的双调掩模板,从而有效地降低了制造成本。相比现有技术,本发明液晶显示装置的阵列基板制造方法减少了一次灰化工艺,从而有效地简化了生产过程,并且还提高了生产速度。 | ||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种液晶显示装置的阵列基板制造方法,包括预置层的制作和后置层的制作,其特征在于,所述预置层的制作具体为:第一次掩模工艺,在基板上依次沉积第一透明导电层和第一金属层之后涂布光刻胶,采用单调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻,形成显示区域图案、栅线和从所述栅线分支出来的栅电极;第二次掩模工艺,在经过所述第一次掩模工艺的基板上依次沉积第一绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和第二金属层并且涂布光刻胶,采用第一双调掩模板进行曝光显影之后进行蚀刻,形成硅岛图案和数据线图案并且在所述显示区域漏出所述第一金属层,对所述光刻胶进行灰化工艺之后再进行蚀刻,在所述硅岛图案上形成沟道、与所述数据线连接的源电极和漏电极并且在所述显示区域图案上形成板状电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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