[发明专利]用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料及制备方法无效
| 申请号： | 200810119518.1 | 申请日： | 2008-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101348941A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 周立庆;刘兴新 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B19/12 |
| 代理公司： | 北京双收知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴杰 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料，其在常规衬底材料上，再生长一层与碲镉汞晶格常数完全匹配的碲锌镉单晶薄膜；本发明制备出的用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料具有外延膜晶格质量高，组分可针对短波、中波、长波碲镉汞材料晶格常数灵活调整的优点，同时碲锌镉薄膜组分均匀；该方法借鉴成熟工艺，工艺设备较简单，工艺周期短，成本低；可为红外焦平面探测器提供大面积、高质量、高组分均匀性的衬底材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 外延 方法 生长 碲镉汞 材料 衬底 制备 | ||
【主权项】：
1、一种用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料，其特征在于：其在常规衬底材料上，再生长一层与碲镉汞晶格常数完全匹配的碲锌镉单晶薄膜。
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