[发明专利]一种相变存储器单元的结构及其实现方法无效
申请号: | 200810119691.1 | 申请日: | 2008-09-05 |
公开(公告)号: | CN101447551A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 张泽;王珂;成岩;刘攀;韩晓东 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C16/02;G11C11/56 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张 慧 |
地址: | 100124*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种相变存储器的单元结构及实现方法,包括:衬底、层底电极、过渡层、绝热层、相变材料层、过渡层、钨电极和顶电极;其特征在于:所述的相变材料层下方的钨电极中设置了利用曝光刻蚀技术刻蚀出的中空槽,中空槽内填充有绝热材料SiO2,以减少发热部分接触面从而减少结晶区域体积;所述中空槽状钨电极的所述中空槽状钨电极的内半径为中空槽状钨电极外半径的0.4倍以上,当相变材料层的电流超过阈值电流后,该相变材料产生由非晶体相到晶体相的转变。钨电极采用了中空结构,从而提高了初始晶化与完全晶化状态之间的电阻差,所以两种稳定晶化状态之间可以通过不同的操作电流实现更多的中间电阻状态,提高了相变存储器的存储能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 相变 存储器 单元 结构 及其 实现 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种相变存储器的单元结构,包括:衬底、层底电极、过渡层、绝热层、相变材料层、过渡层、钨电极和顶电极;其特征在于:所述的相变材料层下方的钨电极中设置了利用曝光刻蚀技术刻蚀出的中空槽,中空槽内填充有绝热材料。
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