[发明专利]一种封闭型双层纳米碳管分子级存储单元无效

专利信息
申请号: 200810119707.9 申请日: 2008-09-05
公开(公告)号: CN101354913A 公开(公告)日: 2009-01-28
发明(设计)人: 韩平畴;叶森斌 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 代理人: 张国良
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种封闭型双层纳米碳管分子级存储单元,包括:内外管均封闭的双层纳米碳管,平放于绝缘基体之上,且内层碳管的长度小于外层碳管;第一、第二电极,沉积于所述双层纳米碳管的前后两端,且电极平面与碳管的轴向垂直;在所述第一、第二电极间的电压驱动下,所述内层碳管可在外层碳管内作无接触的运动;第三、第四电极,沉积于所述双层纳米碳管的前端左右两侧;第五、第六电极,沉积于所述双层纳米碳管的后端左右两侧;且电极平面与碳管的轴向平行。本发明的技术方案通过碳管分子间的运动,利用纳米碳管独特的电学、力学性质,设计出双稳态分子存储单元,容易组装,具有很高的集成密度及较长的工作寿命,同时具有非易失性。
搜索关键词: 一种 封闭 双层 纳米 分子 存储 单元
【主权项】:
1、一种封闭型双层纳米碳管分子级存储单元,其特征在于,该存储单元包括:内外管均封闭的双层纳米碳管,平放于绝缘基体之上,且内层碳管的长度小于外层碳管;第一、第二电极,沉积于所述双层纳米碳管的前后两端,且电极平面与碳管的轴向垂直;在所述第一、第二电极间的电压驱动下,所述内层碳管可在外层碳管内作无接触的运动;第三、第四电极,沉积于所述双层纳米碳管的前端左右两侧;第五、第六电极,沉积于所述双层纳米碳管的后端左右两侧;且电极平面与碳管的轴向平行;所述第一、第二电极与写入电路连接,控制所述内层碳管停留在所述外层碳管的前端或后端,并分别定义为“0”或“1”;所述第三、第四电极及第五、第六电极与读取电路连接,通过检测不同的输出信号测定所述内层碳管所处的不同位置,进而读出数据“0”或“1”。
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