[发明专利]一种基于Parylene的三维针尖电极阵列的制作方法有效

专利信息
申请号: 200810119952.X 申请日: 2008-09-12
公开(公告)号: CN101398614A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 李志宏;黄贤炬 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/26;G03F7/039;B81C5/00;A61F9/08;A61F2/14
代理公司: 北京市商泰律师事务所 代理人: 毛燕生
地址: 1008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于Parylene的三维针尖电极阵列的制作方法,其特征是,利用硅三维针尖阵列制备出基于Parylene柔性衬底的三维针尖电极阵列,该电极阵列是一种类似于三明治结构的Parylene-金属层-Parylene三层结构,可用于针对人工视网膜修复的视网膜下植入手术。根据本发明制作的三维针尖电极阵列能有效提高芯片电极阵列的密度,降低芯片的功耗和面积,增强视网膜芯片的修复效果,更好地适应了视网膜下植入手术的要求。
搜索关键词: 一种 基于 parylene 三维 针尖 电极 阵列 制作方法
【主权项】:
1. 一种基于Parylene的三维针尖电极阵列,其结构特征是:首先,用结合干法刻蚀和湿法腐蚀的方法在硅衬底结构上形成硅三维针尖阵列,作为Parylene柔性衬底三维结构的模型;其次,在硅衬底上覆盖一层均匀性良好的Parylene薄膜转印衬底的针尖阵列结构,并将其作为最终器件的衬底材料;然后,在Parylene上用金属剥离的方法形成针尖电极和导线,并覆盖第二层Parylene作为绝缘层和保护层,接着旋涂光刻胶并图形化,干法刻蚀Parylene后露出电极的针尖部分;最后,连同Parylene和金属从硅片上撕下来,得到具有柔性特点和良好生物兼容性的Parylene三维针尖电极阵列,以作为视网膜下视觉修复芯片。
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