[发明专利]一种基于纳米压印技术制备晶硅太阳电池局域背接触的方法无效
| 申请号： | 200810119966.1 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101359701A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;王文静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关玲;成金玉 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于纳米压印技术制备晶硅太阳电池局域背接触的方法。步骤如下：制备具有局域接触图形的纳米压印标准模板(1)；在晶硅衬底(2)背面淀积介质钝化层(3)；采用纳米压印技术将标准模板上的图形转移到介质钝化层(3)上；采用湿化学腐蚀或者等离子刻蚀工艺在介质钝化层(3)上刻蚀出直达晶硅衬底(2)表面的局域接触区，去除聚合物层(4)；在整个背表面上淀积背接触电极(5)，背接触电极(5)通过刻蚀出的局域接触区与晶硅衬底(1)之间形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 压印 技术 制备 太阳电池 局域 接触 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于纳米压印技术制备晶硅太阳电池局域背接触的方法，其特征在于制备步骤按顺序包括：(1)制备用于纳米压印的具有局域背接触图形的标准模板(1)；(2)在晶硅衬底(2)背面淀积介质钝化层(3)；(3)采用纳米压印技术将标准模板(1)上的图形转印到晶硅衬底(2)背面的介质钝化层(3)上；(4)采用湿化学或者等离子体刻蚀工艺在介质钝化层(3)上刻蚀出直达晶硅衬底(2)背表面上的局域背接触区，之后去除起到刻蚀阻挡层作用的聚合层(4)；(5)在整个背表面上淀积背接触电极(5)，并通过退火形成背接触电极(5)与晶硅衬底(2)背面间的欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
