[发明专利]一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法有效
| 申请号： | 200810120013.7 | 申请日： | 2008-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101634012A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 宋振纶;李金龙;孙科沸;冒守栋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 | 代理人： | 袁忠卫 |
| 地址： | 315201浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置及方法，该装置包括真空室、磁控溅射源、工件托架和离子源，其特征在于：所述磁控溅射源安装在真空室的顶部呈密封连接结构，磁控溅射靶通过连接轴与磁控溅射源相连，磁控溅射靶伸入真空室内，且磁控溅射靶与连接轴之间为可转动连接，所述离子源也安装在真空室的顶部呈密封连接结构，离子源的发射头也伸入真空室内，所述工件托架安装在真空室内的底部。与现有技术相比，本发明的优点在于：磁控溅射靶能根据工件的大小和位置调整溅射方向，以达到最佳的溅射的范围；本发明提供的方法，不需要采用高能离子源，而是采用低能、大束流离子束对薄膜进行辅助沉积，可增加膜基结合力和薄膜致密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 表面 防护 离子束 辅助 磁控溅射 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于表面防护的离子束辅助磁控溅射沉积装置，包括真空室、磁控溅射源、工件托架和离子源，其特征在于：所述磁控溅射源安装在真空室的顶部呈密封连接结构，磁控溅射靶通过连接轴与磁控溅射源相连，磁控溅射靶伸入真空室内，且磁控溅射靶与连接轴之间为可转动连接，所述离子源也安装在真空室的顶部呈密封连接结构，离子源的发射头也伸入真空室内，所述工件托架安装在真空室内的底部。
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