[发明专利]晶体硅太阳能电池钝化与发射极(PN结)生产工艺无效
| 申请号： | 200810121431.8 | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101425549A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 向小龙;何旭梅;王保军;郦晓苗;蒋伟平;何珊 | 申请（专利权）人： | 浙江弘晨光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311821浙江省诸暨市安华*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池钝化与发射极(PN结)生产工艺，其包括以下步骤：1.在780℃左右的温度下从石英反应腔内进出硅片，并通入流量为25L/min的氮气；2.将炉温均匀升至870℃，稳定后再通入流量为5L/min的纯氧(氮气流量18L/min)对硅片表面进行钝化，在表面生长一层厚约0.2um的SiO2层；3.降温到845℃，稳定后通入3L/min的携源氮气5分钟，然后再减小到1.5L/min，时长20分钟-25分钟，氮气流量为18L/min，氧气流量为2L/min；4.关断携源氮气，继续通入氮气，并均匀降温到780℃；5.关断氧气，通入流量为25L/min的氮气，退舟取片。本发明适用于晶体硅太阳能电池的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 钝化 发射极 pn 生产工艺 | ||
【主权项】：
1、一种晶体硅太阳能电池钝化与发射极(PN结)生产工艺，其特征在于包括以下生产工艺步骤：(1)在780℃左右的温度下从石英反应腔内进出硅片，并通入流量为25L/min的氮气；(2)通过受控方式将炉温均匀升至870℃，稳定后再通入流量为5L/min的纯氧(氮气流量18L/min)对硅片表面进行钝化，在表面生长一层厚约0.2um的SiO2层；(3)降温到845℃，稳定后通入3L/min的携源氮气5分钟，然后再减小到1.5L/min，时长20分钟-25分钟，氮气流量为18L/min，氧气流量为2L/min；(4)关断携源氮气，继续通入氮气流量为18L/min，氧气流量为2L/min，并均匀降温到780℃；(5)关断氧气，通入流量为25L/min的氮气，退舟取片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
