[发明专利]一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法无效
| 申请号： | 200810121644.0 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101373717A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 陈福元;王铮;胡煜涛;毛建军;胡梦 | 申请（专利权）人： | 杭州杭鑫电子工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310053浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法，它包括如下步骤：1)在硅单晶片整个面上预先扩散入N+或p+半导体杂质；2)机械研磨去除一表面的N+或p+层；3)在1250～1300℃高温下，进行50～250小时硅内预扩N+或p+杂质的推结；4)对N－或p－面进行化学机械抛光；5)在N－/N+或P－/P+硅基片上制造晶体管。本发明革除了常规采用的必须研磨去一个面上占到2/5硅片总厚度的N－或p－半导体杂质深扩散层的三重扩散工艺做法，节省1/4硅片用料。充分体现节材和产品高性价比的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅单晶 薄片 扩散 单面 制造 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅单晶薄片预扩散单面减薄制造晶体管的方法，其特征在于包括如下步骤：1)在硅单晶片整个面上预扩散入N+或p+半导体杂质；2)机械研磨去除一表面上的N+或p+层；3)在1250～1300℃高温下，进行50～250小时硅内预扩散N+或p+杂质的推结；4)对N-或p-面进行化学机械抛光；5)在N-/N+或P-/P+硅基片上制造晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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