[发明专利]芯片低接触电阻背面金属化工艺方法以及结构无效
| 申请号： | 200810121915.2 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101465305A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 王平;王英杰;韩飞;范伟宏 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片低接触电阻背面金属化结构，其特征在于依次包括硅、金砷、背面金属化金属。所述的背面金属化的金属可以为：钛、镍、银；其中所述的金属钛还可以用钒或铬代替；所述的银还可以用金代替，或者在银上加金。同时本发明还提供了一种芯片低接触电阻背面金属化工艺方法，本发明提供的芯片低接触电阻背面金属化工艺方法简便，可以有效降低产品的碎片等异常，提高作业效率，降低生产成本，同时本发明提供的一种芯片低接触电阻背面金属化结构采用砷合金材料，可以极大的降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 接触 电阻 背面 金属化 工艺 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种芯片低接触电阻背面金属化工艺，其特征在于包括如下步骤：(1)芯片减薄；(2)进行芯片背面清洗；(3)芯片上镀金砷；(4)芯片上进行背面金属化；(5)使金砷薄层与硅层形成金硅合金，形成低接触电阻的金属与硅接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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