[发明专利]一种具有高机械强度的掺锗直拉硅片及其制备方法无效
| 申请号： | 200810122375.X | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101423978A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;陈加和;马向阳;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的掺锗直拉硅片，硅片中的氧浓度为5×1017～15×1017cm-3，锗浓度为1×1015～1×1021cm-3，体微缺陷密度为1×106～1×1010cm-3。其制备方法为：将上述氧浓度和锗浓度的直拉掺锗硅单晶片，在氩气或氮气保护下，于450～950℃保温2～50小时；或者先在450～950℃保温2～50小时，然后在1000～1300℃保温2～30小时。将掺锗直拉硅单晶片经热处理工艺，可以在硅片体内形成高密度的氧沉淀，并诱生出高密度的体微缺陷，这些体微缺陷将钉扎硅片中的位错，抑制位错的滑移运动，从而提高直拉硅片的断裂强度，改善直拉硅片的机械性能，提高集成电路的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 机械 强度 掺锗直拉 硅片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种具有高机械强度的掺锗直拉硅片，硅片中的氧浓度为5×1017～15×1017cm-3，锗浓度为1×1015～1×1021cm-3，其特征是体微缺陷密度为1×106～1×1010cm-3。
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