[发明专利]一种新型磁路结构考夫曼型离子源无效
申请号: | 200810122525.7 | 申请日: | 2008-05-30 |
公开(公告)号: | CN101308754A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 陈长琦;张建国;干蜀毅;朱仁胜;郭江涛 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01J27/02 | 分类号: | H01J27/02;H01J37/08 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 | 代理人: | 何梅生 |
地址: | 230009*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种新型磁路结构考夫曼型离子源,其结构组成包括由阳极管、阴极丝、加速栅和屏栅构成离子源放电室,以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝;其特征是设置单筒状阳极管固定在位于在离子源放电室底部的基底法兰上,阴极丝位于阳极管内部,用于产生多极磁场的磁路由阳极管外周分段设置、且同名端相向的各环形磁铁和分别设置在环形磁铁顶部、底部以及隔间设置在各段环形磁铁之间的磁靴组件构成。本发明采用轴向磁化的环形磁铁,通过磁靴的引磁作用,在阳极管壁附近产生局部的多极磁场,有效防止了原初电子撞击阳极管而导致能量损失,其结构简单、易于装配、方便拆卸。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 磁路 结构 考夫曼型 离子源 | ||
【主权项】:
1、一种新型磁路结构考夫曼型离子源,其结构组成包括由阳极管(21)、阴极丝(24)、加速栅(10)和屏栅(9)构成离子源放电室,以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝;其特征是设置单筒状阳极管(21),所述单筒状阳极管(21)固定设置在位于在离子源放电室底部的基底法兰(26)上,阴极丝(24)位于阳极管内部,用于产生多极磁场的磁路由阳极管(21)外周分段设置、且同名端相向的各环形磁铁和分别设置在环形磁铁顶部、底部以及隔间设置在各段环形磁铁之间的磁靴组件构成。
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