[发明专利]一种制造高效硅太阳能电池片的方法无效
申请号: | 200810123612.4 | 申请日: | 2008-05-26 |
公开(公告)号: | CN101281939A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 李志贤 | 申请(专利权)人: | 江苏天保光伏能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人: | 江平 |
地址: | 211402江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种制造高效硅太阳能电池片的方法,涉及一种制造高效硅太阳能电池片的工艺方法。采用氧化物磷源或二氧化硅磷乳胶源直接印刷或喷涂在P型硅片上,直接形成浓磷扩散区的图形成为浓磷扩散源,然后在三氯氧磷的气氛中一次扩散成横向N+N高低结,再依次采用周边刻蚀、去磷硅玻璃、淀积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、氢钝化、烧结。本发明只需一次扩散就形成N+N高低同质结,无须生长二氧化硅来屏蔽,也不用二次光刻成浓、淡磷两次扩散区,便可省去了氧化、光刻、二次扩散等多道工序,同样可以实现N+N高低结,达到提高转换效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 制造 高效 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
1、一种制造高效硅太阳能电池片的方法,包括采用氧化物磷源或二氧化硅磷乳胶源制成具有N+N高低结的P型硅片,再经周边刻蚀、去磷硅玻璃、淀积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、氢钝化、烧结制成,其特征在于所述具有N+N高低结的P型硅片的形成方法是采用氧化物磷源或二氧化硅磷乳胶源直接印刷或喷涂在P型硅片上,直接形成浓磷扩散区的图形成为浓磷扩散源,然后在三氯氧磷的气氛中一次扩散成横向N+N高低结。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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