[发明专利]一种用微弧氧化技术在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法无效

专利信息
申请号: 200810124002.6 申请日: 2008-06-20
公开(公告)号: CN101294296A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: 司松海;司乃潮 申请(专利权)人: 镇江忆诺唯记忆合金有限公司
主分类号: C25D11/34 分类号: C25D11/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212009江苏省镇江市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种用微弧氧化技术在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法,其特征为:用微弧氧化技术对NiTi合金(其化学成分为:Ni50wt%,Ti50wt%)进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜。其微弧氧化工艺参数为:电流密度为5-12A/cm2,电压为250-500V,频率为250-450Hz,电解液温度控制为20℃~60℃,微弧氧化时间为20-70min。
搜索关键词: 一种 用微弧 氧化 技术 niti 合金 表面 原位 生成 tio sub 方法
【主权项】:
1、一种用微弧氧化技术在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法,其特征为:用微弧氧化技术对NiTi合金(其化学成分为:Ni50wt%,Ti50wt%)进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜;其微弧氧化工艺参数为:电流密度为5-12A/cm2,电压250-500V,频率为250-450Hz,电解液温度控制为20℃~60℃,微弧氧化时间为20-70min。
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