[发明专利]提高Ⅲ族氮化物发光效率的LED量子阱结构及其生长方法无效
| 申请号： | 200810124467.1 | 申请日： | 2008-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN101355127A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;张荣;韩平;修向前;陈鹏;陆海;刘斌;顾书林;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5－10个周期且层厚分别为5－20nm/15－40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 氮化物 发光 效率 led 量子 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种LED量子阱结构，其特征是包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810124467.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种报文自动镜像系统及方法
- 下一篇：车载货物通关智能监管系统
