[发明专利]一种二极管的酸洗工艺无效
| 申请号： | 200810124575.9 | 申请日： | 2008-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN101345185A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 陆国华;吴亚红;陈炎;丁维新 | 申请（专利权）人： | 如皋市日鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 226500*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管的酸洗工艺，由四次清洗构成，前三次清洗是在相同超声波功率不同电阻率、温度、流量条件的去离子水中用超声波清洗。所述第一次清洗在一定流量的去离子水中加温清洗；第二次和第三次清洗只在去离子水中清洗；第四次用无水乙醇对二极管进行脱水。本工艺通过加温超声波清洗，有效去除二极管表面的杂质，使二极管表面更清洁；连接使用去离子水，节约水资源；通过多级清洗缩短了清洗时间，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二极管 酸洗 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种二极管的酸洗工艺，由四次清洗构成，在前三次清洗中均用超声波清洗，其特征在于：所述第一次清洗在一定流量的去离子水中加温清洗；第二次和第三次清洗只在去离子水中清洗；第四次用无水乙醇对二极管进行脱水。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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