[发明专利]连接结构体及其制造方法无效
| 申请号： | 200810125087.X | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101419955A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 水谷笃人 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能将多晶硅膜键合焊盘与铝类金属丝稳定地进行金属丝键合的连接结构体和制造方法。本发明提供的连接结构体的结构为：在Si(4)上形成SiO2膜(5)，在SiO2膜(5)上形成BPSG膜(6)，在BPSG膜(6)上形成SiN膜(7)，在SiN膜(7)上形成多晶硅膜键合焊盘(1)，在多晶硅膜键合焊盘(1)上连接铝类金属丝(2)。多晶硅膜键合焊盘(1)的表面平均粗糙度在22nm以下，由于能减小多晶硅膜键合焊盘(1)的焊盘表面平均粗糙度(8)，因此，存在于铝类金属丝(2)与多晶硅膜键合焊盘(1)的连接面上的空隙变小，连接面积增加，能提高金属丝键合性。 | ||
| 搜索关键词： | 连接 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 连接结构体，其特征在于，在Si(4)上形成SiO2膜(5)，在所述SiO2膜(5)上形成BPSG膜(6)或PSG膜，在所述BPSG膜(6)或PSG膜上形成SiN膜(7)，在所述SiN膜(7)上形成多晶硅膜(1)，在所述多晶硅膜(1)上连接铝类金属丝(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810125087.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
