[发明专利]半导体发光器件,其制造工艺及使用其的发光二极管(LED)照明装置无效
| 申请号： | 200810125118.1 | 申请日： | 2008-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101335318A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 大畠孝文 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光器件，包括：其中一对正负电极在绝缘衬底的正面形成的布线衬底，在电极中的一个上排列的或排列成在两个电极上伸展且与正负电极对电连接的LED，以及金属框，该金属框在其内圆周一侧具有锥形面且排列在布线衬底的正面上的电极对周围，其中该金属框通过粘合层与该布线衬底的正面接合，且电镀层在该金属框的表面和该电极对的表面上形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 制造 工艺 使用 发光二极管 led 照明 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：其中一对正负电极在绝缘衬底的正面形成的布线衬底，在所述电极中的一个上排列的或排列成在两个电极上伸展且与正负电极对电连接的LED，以及金属框，所述金属框在其内圆周一侧具有锥形面且排列在所述布线衬底的正面上的所述电极对周围，其中所述金属框通过粘合层与所述布线衬底的正面接合，且一电镀层在所述金属框的表面和所述电极对的正面上形成。
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