[发明专利]形成半导体器件图案的方法

摘要

本发明涉及一种形成半导体器件图案的方法。其中使用第一光刻胶图案和第一BARC层形成用于栅极线的图案。使用第二光刻胶图案和第二BARC层形成用于选择线的图案和垫，该选择线的宽度大于栅极线的宽度。栅极线、垫和选择线可以同时形成。

主权项

1. 一种形成半导体器件微图案的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，其中所述半导体衬底包括其中形成第一目标图案的第一区域和其中形成第二目标图案的第二区域，所述第二目标图案的宽度大于所述第一目标图案的宽度；在所述半导体衬底上形成第一辅助图案，其中所述第一辅助图案包括所述第一区域的第一图案和所述第二区域的第二图案，所述第一图案的间距为所述第一目标图案的间距的约两倍；在包括所述第一辅助图案的表面的所述半导体衬底上形成蚀刻掩模层；形成第二辅助图案，其中所述第二辅助图案包括在所述第一图案的侧壁上形成的所述蚀刻掩模层之间的第三图案和与所述第二图案一侧重叠的第四图案；除去在所述第一辅助图案的上表面上形成的所述蚀刻掩模层；除去在所述第一和第二辅助图案的上表面上形成的所述蚀刻掩模层；和除去所述第一和第二辅助图案并蚀刻所述蚀刻掩模层，其中所述蚀刻掩模层的一部分保留在将形成所述第一目标图案的区域中，所述第一和第二辅助图案以及所述蚀刻掩模层保留在将形成所述第二目标图案的区域中。