[发明专利]用于实现均匀等离子处理的阶梯式上部电极有效
申请号: | 200810125651.8 | 申请日: | 2001-10-10 |
公开(公告)号: | CN101308779A | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 拉金德尔·德辛德萨;穆昆德·斯利尼瓦桑;艾伦·爱普勒;埃里克·兰兹 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32;H05H1/46;C23F4/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种等离子放射电极,该等离子放射电极具有正面,该正面具有:中心部分,包括喷出用于产生等离子的处理气体的出气孔;以及外围部分,大致围绕出气孔。外围部分至少具有一个用于控制电极产生的等离子密度的阶梯。该电极可以用作诸如等离子蚀刻设备的平行板等离子处理设备内的接地上部电极。可以改变阶梯和位于下部电极上的相应边缘环的几何特征图形,以在圆片表面上获得要求的蚀刻速率分布。 | ||
搜索关键词: | 用于 实现 均匀 等离子 处理 阶梯 上部 电极 | ||
【主权项】:
1.一种用于等离子反应室的簇射喷头电极,所述电极包括:大致为平面的中心部分;多个出气孔,位于电极的中心部分,处理气体通过该出气孔可以从电极外露表面送出;以及阶梯,从电极外露表面凸出,该阶梯被成型为分离部件并被接合到电极外露表面上,该阶梯位于电极的外围部分,而且至少部分围绕电极的中心部分延伸,该阶梯的内表面与大致为平面的中心部分形成钝角,该阶梯控制在电极外露表面附近产生的等离子的局部密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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