[发明专利]横向双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200810125840.5 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101335295A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | M·斯特彻 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘春元 |
| 地址： | 德国新*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及横向双极晶体管及其制造方法。双极晶体管的发射区和集电区通过相同导电类型的掺杂区构成，其由相反导电类型的掺杂半导体材料分开，分离掺杂区布置在半导体本体的表面处，并与引入到半导体本体表面上的沟槽内的导电材料电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、横向双极晶体管，包括：具有表面的半导体本体；在该表面处的第一导电类型的掺杂的阱；在该表面处该掺杂的阱内的分离沟槽；填充所述沟槽的导电材料；与第一导电类型相反的第二导电类型的分离掺杂区；每个沟槽中的导电材料分别与掺杂区之一相接触；以及掺杂区与掺杂的阱构成双极晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份公司，未经英飞凌科技股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810125840.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种带多功能架的广告媒体板
- 下一篇：电磁炉浪涌保护电路
- 同类专利
- 专利分类
