[发明专利]用于半导体器件的掩模的制造方法无效
| 申请号： | 200810126235.X | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101334586A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 金英美 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制备用于半导体器件的掩模方法，包括检测半导体中用于掩模的布局数据，以及纠正布局数据中违反该设计规则的任何误差，填充布局数据中的小凹入部分，在凹入部分－填充布局数据中实施光学邻近校正，以及利用受到光学邻近校正处理的凹入部分－填充布局数据来产生掩模图案。通过这个工艺，可以通过受到光学邻近校正处理来简化布局数据库并且使得可引起不必要的光学邻近校正(OPC)问题的任何误差最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备用于半导体器件的掩模的方法，所述方法包括：检测违反设计规则的用于所述掩模的布局数据，以及纠正所述违反设计规则的所述布局数据中的一个或多个误差；填充所述布局数据中的小凹入部位；在所述凹入部分-填充布局数据中实施光学邻近校正；以及利用受到光学邻近校正处理的所述凹入部分-填充布局数据生成掩模图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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