[发明专利]相变存储器件无效
申请号: | 200810126338.6 | 申请日: | 2008-06-25 |
公开(公告)号: | CN101354916A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 姜熙福;安进弘;洪锡敬 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/30;G11C16/28;G11C16/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种相变存储器件包括在行方向上布置的多条字线和在列方向上布置的多条位线。在列方向上布置多条参考位线和多条钳位位线。在字线和位线相交之处布置包括相变电阻单元的单元阵列块。在字线和参考位线相交之处形成参考单元阵列块。参考单元阵列块被配置为输出参考电流。在字线和钳位位线相交之处形成钳位单元阵列块。钳位单元阵列块被配置为输出钳位电流。读出放大器连接到每条位线并被配置为接收钳位电压和参考电压。 | ||
搜索关键词: | 相变 存储 器件 | ||
【主权项】:
1、一种相变存储器件,包括:多条字线,布置在行方向上;多条位线,布置在列方向上;参考位线,布置在列方向上;多条钳位位线,布置在列方向上;单元阵列块,包括多个相变电阻单元,每个相变电阻单元形成于所述字线中的一条和所述位线中的一条的相交之处,其中,该单元阵列块被配置为输出数据电流;参考单元阵列块,包括多个参考单元,每个参考单元形成于所述字线中的一条和所述参考位线的相交之处,其中,该参考单元阵列块被配置为输出参考电流;钳位单元阵列块,包括多个钳位单元,每个钳位单元形成于一条字线和所述钳位位线的相交之处,其中,该钳位单元阵列块被配置为输出多个钳位电流;以及读出放大器,连接到所述位线以接收所述数据电流,并响应于与所述多个钳位电流对应的钳位电压和与所述参考电流对应的参考电压来执行放大操作。
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