[发明专利]一种用于监测和校准半导体加工室内温度的新型方法有效
| 申请号： | 200810126567.8 | 申请日： | 2008-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101345187A | 公开（公告）日： | 2009-01-14 |
| 发明（设计）人： | 贾勒帕里·拉维;梅伊特·马哈贾尼;黄宜乔 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于监测和校准加工室温度的非破坏性方法。本发明的一个实施例提供一种用于测量温度的方法，该方法包括在第一温度下在测试基片上形成目标膜，其中目标膜具有对热暴露敏感的一种或几种性能，将目标膜暴露于在高于第一温度的范围内的第二温度下的环境，在将目标膜暴露于第二温度下的环境之后测量目标膜的一种或几种性能，以及根据所测量的一种或几种性能确定第二温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 监测 校准 半导体 加工 室内 温度 新型 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量温度的方法，包括：在第一温度下在测试基片上形成目标膜，其中目标膜具有对热暴露敏感的一种或几种性能；将目标膜暴露于在比第一温度更高的范围内的第二温度下的环境；在将目标膜暴露于第二温度下的环境之后测量目标膜的一种或几种性能；以及根据所测量的一种或几种性能确定第二温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
