[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810126686.3 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101459175A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 黄允泽;林宽容 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/108;H01L21/822;H01L21/8242;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;何胜勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件及其制造方法通过增加单元区域来提高集成度，同时通过采用叠层结构来形成单元区域与核心区域来确保器件的可靠性以及工序裕量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括：单元阵列单位，其形成在第一半导体材料上；核心电路单位，其形成在位于单元阵列之上的第二半导体材料上；以及介电层，其将所述单元阵列单位与所述核心电路单位隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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