[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810127288.3 | 申请日： | 2008-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN101340057A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 神川刚 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件包括作为氮化物半导体衬底的n型GaN衬底(101)、形成在该n型GaN衬底(101)上的包括p型氮化物半导体层的氮化物半导体层。该p型氮化物半导体层包括p型AlGaInN接触层(108)、在该p型AlGaInN接触层(108)之下的p型AlGaInN包层(107)、以及p型AlGaInN层(106)。由硅氮化物膜制成的保护膜(113)形成在形成于p型氮化物半导体层中的电流注入区上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件，包括：氮化物半导体衬底；以及形成在该氮化物半导体衬底上的具有p型氮化物半导体层的氮化物半导体层，其中该氮化物半导体层具有电流注入到其中的电流注入区，且由硅氮化物膜和/或硅氮氧化物膜构成的保护膜形成在该电流注入区上。
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