[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810127631.4 | 申请日： | 2008-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101339927A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 延斯·波赫;马库斯·布伦鲍尔;伊姆加德·埃舍尔－珀佩尔;托尔斯藤·迈耶 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/31;H01L21/60;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李慧 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明描述了一种器件，其包括第一半导体芯片、嵌有第一半导体芯片的模塑料层、施加在模塑料层上的第一电性导通层、布置在模塑料层上的通孔和填充通孔的焊锡材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：第一半导体芯片；嵌有所述第一半导体芯片的模塑料层；施加在所述模塑料层上的第一电性导通层；布置在所述模塑料层中的通孔；填充所述通孔的焊锡材料。
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