[发明专利]具有金属互连的半导体器件、制造方法及半导体集群设备无效
| 申请号： | 200810127762.2 | 申请日： | 2008-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101312154A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 崔庆寅;李贤培;崔吉铉;李钟鸣;洪琮沅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。该方法包括提供具有导电图案的半导体衬底和在导电图案和半导体衬底上形成绝缘层。对绝缘层进行构图以形成露出一部分导电图案的开口。在开口的内壁和绝缘层的顶面上形成预扩散阻挡层。向预扩散阻挡层上提供氧原子以形成第一扩散阻挡层。在第一扩散阻挡层上形成金属层。金属层形成为填充由第一扩散阻挡层围绕的开口。本发明还提供通过该方法制造的半导体器件和用于制造该半导体器件的半导体集群设备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 互连 半导体器件 制造 方法 半导体 集群 设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有导电图案的半导体衬底；在导电图案和半导体衬底上形成绝缘层；对绝缘层进行构图以形成露出一部分导电图案的开口；在开口的内壁和绝缘层的顶面上形成预扩散阻挡层；向预扩散阻挡层提供氧原子以形成第一扩散阻挡层；和在第一扩散阻挡层上形成金属层，其中，金属层形成为填充由第一扩散阻挡层围绕的该开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
