[发明专利]非易失性存储装置及其编程方法无效
| 申请号： | 200810128073.3 | 申请日： | 2008-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101359506A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 成政宪;薛光洙;申雄澈;朴祥珍;崔相武 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/30;G11C16/10;G11C16/26;H01L29/792;H01L29/423;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;张军 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储装置及其编程方法，其中，电子穿过衬垫氧化物层在电荷捕获层之间移动。非易失性存储装置包括在半导体基底上并存储电子的第一电荷捕获层、在第一电荷捕获层上的衬垫氧化物层以及在衬垫氧化物层上并存储电子的第二电荷捕获层。在写入数据的编程模式下，存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第一边缘和第二电荷捕获层中的第一边缘之间移动，或者存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第二边缘和第二电荷捕获层中的第二边缘之间移动。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储装置，包括：第一电荷捕获层，在半导体基底上，其中，第一电荷捕获层存储电子；衬垫氧化物层，在第一电荷捕获层上；第二电荷捕获层，在衬垫氧化物层上，其中，第二电荷捕获层存储电子，其中，在写入数据的编程模式下，存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第一位置和第二电荷捕获层的第一位置之间移动或不移动，或者存储的电子穿过衬垫氧化物层在第一电荷捕获层的第二位置和第二电荷捕获层的第二位置之间移动或不移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810128073.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光波导薄膜和光基片以及它们的制造方法
- 下一篇：电信系统中的信息发布
