[发明专利]具有缓冲层的电阻式存储结构有效
| 申请号： | 200810128163.2 | 申请日： | 2008-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101409327A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 简维志;张国彬;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置，包括第一电极与第二电极以及介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储元件与缓冲层。存储元件包括一种以上的金属氧化合物。缓冲层至少包括一氧化物或一氮化物。于另一实施例中，存储装置包括第一电极与第二电极以及介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储元件与缓冲层。缓冲层具有一小于50埃的厚度。存储装置包括一或多种金属的氧化合物。制造存储装置方法的实施例包括形成第一电极与第二电极，形成介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储器，该存储器包括一或多种金属的氧化合物，缓冲层包括至少一氧化物或一氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缓冲 电阻 存储 结构 | ||
【主权项】：
1、一种存储器装置，其特征在于，包括：一第一电极与一第二电极；以及一存储元件与一缓冲层，介于该第一电极与该第二电极之间，并与该第一电极以及该第二电极电性耦接，该存储元件包括一种或以上的金属氧化合物，以及该缓冲层至少包括一氧化物或一氮化物之一。
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