[发明专利]使用A1合金膜的低接触电阻型电极及其制造方法和表示装置无效
| 申请号： | 200810128672.5 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101335294A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 越智元隆;后藤裕史;奥野博行;武富雄一 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/786;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种即使减少Al合金中的合金元素，仍能够降低与透明氧化物导电膜的接触阻抗的低接触阻抗型电极，和用于制造这种电极的有用的方法，以及具有这种电极的显示装置。本发明的低接触阻抗型电极，在与氧化物透明导电膜直接接触的由Al合金膜构成的低接触阻抗型电极中，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al离子化倾向小的金属元素，且Al合金膜与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 a1 合金 接触 电阻 电极 及其 制造 方法 表示 装置 | ||
【主权项】：
1.一种使用Al合金膜的低接触电阻型电极，其由与氧化物透明导电膜直接接触的Al合金膜构成，其特征在于，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al贵的金属元素，且Al合金膜的与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。
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