[发明专利]用硫基蚀刻剂等离子体蚀刻含碳层无效
| 申请号： | 200810128783.6 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101515542A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 王竹戌;马绍铭;斯昌林;布赖恩·廖;周杰;金汉相 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵 飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用硫基蚀刻剂等离子体蚀刻含碳层，其用蚀刻剂气体混合物蚀刻含碳层，该蚀刻剂气体混合物包含氧分子(O2)和包含碳硫末端配位体的气体。在某些实施例中采用高RF频率源以便得到对无机电介质层具有高选择性的高蚀刻率。在某些实施例中，蚀刻剂气体混合物仅包含两种成分：COS和O2，但在其它实施例中，也可以进一步采用附加气体，例如氮分子(N2)、一氧化碳(CO)或二氧化碳(CO2)中的至少一种，来蚀刻含碳层。 | ||
| 搜索关键词： | 用硫基 蚀刻 等离子体 含碳层 | ||
【主权项】：
1.一种在包括至少20wt％碳的含碳层中蚀刻特征的方法，该方法包括：提供一衬底，该衬底包含设置在含碳层上的已构图光阻层；将衬底装载到等离子体蚀刻室；将蚀刻剂气体混合物引入等离子体蚀刻室，蚀刻剂气体混合物包含O2和包括碳硫末端配位体的气体；用蚀刻剂气体混合物的等离子体蚀刻含碳层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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