[发明专利]抛光液及使用该抛光液的抛光方法有效
| 申请号： | 200810128877.3 | 申请日： | 2008-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101333417A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 上村哲也 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;B24B29/00;H01L21/304;B24B37/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于抛光含钌阻挡层的抛光液，所述抛光液被用于对半导体器件的化学机械抛光，所述的半导体器件在其表面上具有含钌阻挡层和导电金属布线，所述抛光液包含：氧化剂；和抛光微粒，所述抛光微粒具有按莫氏硬度计为5以上的硬度和其中主要成分不同于二氧化硅(SiO2)的组成。本发明还提供一种用于化学机械抛光半导体器件的抛光方法，所述的方法使所述抛光液与被抛光的基板表面接触，和抛光被抛光的表面，使得从抛光垫到被抛光的表面的接触压力为0.69kPa至20.68kPa。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于抛光含钌阻挡层的抛光液，所述抛光液被用于对半导体器件的化学机械抛光，所述的半导体器件在其表面上具有含钌阻挡层和导电金属布线，并且所述抛光液包含：氧化剂；和抛光微粒，所述抛光微粒具有按莫氏硬度计为5以上的硬度并且具有其中主要成分不同于二氧化硅(SiO2)的组成。
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