[发明专利]磁传感器及补偿磁传感器的温度相关特性的方法无效

专利信息
申请号: 200810129027.5 申请日: 2002-11-29
公开(公告)号: CN101308198A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 佐藤秀树 申请(专利权)人: 雅马哈株式会社
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;H01L27/22;H01L23/522
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 葛青
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 磁传感器(10)包括GMR元件(11-18),以及用作发热元件的加热线圈(21-24)。元件(11-14)和(15-18)通过桥连接构成X轴传感器和Y轴传感器。加热线圈(21)设置于元件(11,12)附近,并且加热线圈(22)设置于元件(13,14)附近,并且加热线圈(23)设置于元件(15,16)附近,并且加热线圈(24)设置于元件(17,18)附近。加热线圈(21-24)通电时主要加热其邻近元件。因此,可以在地磁可确保不变的很短时间内对这些元件进行加热和冷却。基于在加热之前和之后的这些元件的温度以及各自磁传感器的输出,得到温度相关特性补偿数据(传感器输出值改变量对元件温度改变量的比值)并根据该数据对这些元件的温度特性进行补偿。
搜索关键词: 传感器 补偿 温度 相关 特性 方法
【主权项】:
1.一种磁传感器,其包括单个衬底,多个磁阻元件,使所述多个磁阻元件相互桥连接的布线部分以及控制电路部分,所述控制电路部分用于经由所述布线部分获取根据所述多个磁阻元件的电阻值而确定的物理量,并且对该物理量进行处理从而产生向外输出的输出信号,其中所述磁传感器还包括多个叠置在所述衬底上的层;所述磁阻元件形成在所述多个层中的一个层的上表面上;所述布线部分和所述控制电路部分形成在所述衬底以及所述多个层中;并且所述磁阻元件、所述布线部分、以及所述控制电路部分都通过连接部分而在所述多个层中相互连接,所述连接部分由导电物质构成并且沿着与所述层的层表面相交的方向延伸。
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