[发明专利]磁传感器及补偿磁传感器的温度相关特性的方法无效
| 申请号： | 200810129029.4 | 申请日： | 2002-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101308200A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 佐藤秀树 | 申请（专利权）人： | 雅马哈株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 磁传感器(10)包括GMR元件(11－18)，以及用作发热元件的加热线圈(21－24)。元件(11－14)和(15－18)通过桥连接构成X轴传感器和Y轴传感器。加热线圈(21)设置于元件(11，12)附近，并且加热线圈(22)设置于元件(13，14)附近，并且加热线圈(23)设置于元件(15，16)附近，并且加热线圈(24)设置于元件(17，18)附近。加热线圈(21－24)通电时主要加热其邻近元件。因此，可以在地磁可确保不变的很短时间内对这些元件进行加热和冷却。基于在加热之前和之后的这些元件的温度以及各自磁传感器的输出，得到温度相关特性补偿数据(传感器输出值改变量对元件温度改变量的比值)并根据该数据对这些元件的温度特性进行补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 补偿 温度 相关 特性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁传感器，其包括单个衬底和多个元件组，每一个元件组都包括被钉扎层磁化方向相同的一对磁阻元件，所述两元件组的至少两组就所述被钉扎层的磁化方向而言彼此垂直，其中所述多个元件组的每组以这样一种方式设置于所述衬底上，即，使得每一元件组的所述被钉扎层的磁化方向基本上都平行于距所述衬底的形心的距离增大的方向，并且使得所述磁阻元件对彼此邻近设置。
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