[发明专利]闪存装置和调节闪存装置的读电压的方法有效
申请号: | 200810129293.8 | 申请日: | 2008-06-30 |
公开(公告)号: | CN101335047A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 姜东求 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/26;G11C16/08 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种闪存装置包括单元阵列和读电压调节器。所述单元阵列包括具有第一存储单元的第一区域和具有第二存储单元的第二区域。所述读电压调节器参考从第二区域的存储单元读取的第二数据来确定用于从第一区域的第一存储单元读取第一数据的读电压。 | ||
搜索关键词: | 闪存 装置 调节 电压 方法 | ||
【主权项】:
1.一种闪存装置,包括:单元阵列,包括具有第一多个存储单元的第一区域和具有第二多个存储单元的第二区域;和读电压调节器,用于参考从第二区域的第二多个存储单元读取的第二数据来确定用于从第一区域的第一多个存储单元读取第一数据的读电压。
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