[发明专利]硅化合物、多层布线装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810129731.0 | 申请日： | 2008-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN101649053A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 尾崎史朗;中田义弘;矢野映 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60;C08G77/62;C08L83/16;H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;陈 晨 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅化合物、多层布线装置及其制造方法。在基板表面形成的多孔绝缘膜前体层；然后在其上形成的特定的硅化合物层；需要时，将该硅化合物层预固化；通过硅化合物层或预固化层将所述多孔绝缘膜前体在UV下曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 多层 布线 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.硅化合物，其由式1表示的聚碳硅烷、式2表示的聚硅氮烷或它们的混合物组成，其中硅化合物中的R1～R3至少部分被其它基团取代，且其在210nm或以下的UV吸收率高于未取代的硅化合物：![]()
其中，在式1中，R1和R2相同或不同，每一个表示为氢原子或任选取代的烷基、烯基、环烷基或芳基，n是10～1000的数值；在式2中，R1、R2和R3相同或不同，每一个表示为氢原子或任选取代的烷基、烯基、环烷基或芳基，但取代基R1、R2和R3中的至少一个为氢原子，n是用于获得数均分子量为100～50,000的硅氮烷聚合物所需的重覆单元数目；式1和式2中的符号彼此独立。
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